MG75P12E2 Yangjie Tecnologia elettronica IGBT

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Descrizione: Transistori - IGBT - Moduli E2

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Categoria:	Prodotti semiconduttori discretiTransistorIGBTIGBT Moduli	Corrente - Collettore (Ic) (Max):	75 A
Status del prodotto:	Attivo	Tipo di montaggio:	Montaggio del telaio
pacchetto:	Altri prodotti	Serie:	-
Confezione / Cassa:	Modulo	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.25V @ 15V, 50A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):	1200 V	Confezione del dispositivo del fornitore:	-
Mfr:	Tecnologia Yangjie	Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):	1 mA	Tipo IGBT:	-
Potenza - Max:	442 W	Input:	raddrizzatore a ponte trifase
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:	2.6 nF @ 25 V	Configurazione:	Invertitore trifase con il freno
Termistor NTC:	- Sì, sì.

Categoria:	Prodotti semiconduttori discretiTransistorIGBTIGBT Moduli
Corrente - Collettore (Ic) (Max):	75 A
Status del prodotto:	Attivo
Tipo di montaggio:	Montaggio del telaio
pacchetto:	Altri prodotti
Serie:	-
Confezione / Cassa:	Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	2.25V @ 15V, 50A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):	1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:	-
Mfr:	Tecnologia Yangjie
Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):	1 mA
Tipo IGBT:	-
Potenza - Max:	442 W
Input:	raddrizzatore a ponte trifase
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:	2.6 nF @ 25 V
Configurazione:	Invertitore trifase con il freno
Termistor NTC:	- Sì, sì.