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VS-GT80DA120U Transistor bipolare a porta isolata Semiconduttori Vishay

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Descrizione: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

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Specificità
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VS-GT80DA120U

,

Transistor bipolare a gate isolato

,

Vishay Semiconduttori

Categoria:
Prodotti semiconduttori discretiTransistorIGBTIGBT Moduli
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
139 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
HEXFRED®
Confezione / Cassa:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 80A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-227
Mfr:
Generale semiconduttore - divisione di Vishay dei diodi
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
100 μA
Tipo IGBT:
Fossa
Potenza - Max:
658 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
4.4 nF @ 25 V
Configurazione:
Non sposato
Termistor NTC:
- No
Numero del prodotto di base:
GT80
Categoria:
Prodotti semiconduttori discretiTransistorIGBTIGBT Moduli
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
139 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
HEXFRED®
Confezione / Cassa:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 80A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-227
Mfr:
Generale semiconduttore - divisione di Vishay dei diodi
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
100 μA
Tipo IGBT:
Fossa
Potenza - Max:
658 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
4.4 nF @ 25 V
Configurazione:
Non sposato
Termistor NTC:
- No
Numero del prodotto di base:
GT80
Descrizione
VS-GT80DA120U Transistor bipolare a porta isolata Semiconduttori Vishay

Modulo IGBT Trench Single 1200 V 139 A 658 W Montatura del telaio SOT-227

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