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MAX2601ESA+
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Descrizione: RF TRANS NPN 15V 1GHz 8SOIC

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Specificità

Descrizione
Specificità
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
1.2A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
1 GHz
pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
15V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SOIC-EP
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Figura del rumore (dB Typ @ f):
3.3dB @ 836MHz
Potenza - Max:
6.4W
Guadagno:
110,6 dB
Confezione / Cassa:
Piazzola esposta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza).
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
100 @ 250mA, 3V
Numero del prodotto di base:
MAX2601
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
1.2A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
1 GHz
pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
15V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SOIC-EP
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Figura del rumore (dB Typ @ f):
3.3dB @ 836MHz
Potenza - Max:
6.4W
Guadagno:
110,6 dB
Confezione / Cassa:
Piazzola esposta 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza).
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
100 @ 250mA, 3V
Numero del prodotto di base:
MAX2601
Descrizione
MAX2601ESA+
Transistor RF NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Superficie montata 8-SOIC-EP

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