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Descrizione: Transistor RF, NPN
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
80mA |
Status del prodotto: |
Attivo |
Tipo di transistor: |
NPN |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Frequenza - Transizione: |
8GHz |
pacchetto: |
Altri prodotti |
Serie: |
Automotive, AEC-Q101 |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
12V |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
PG-SOT23-3-4 |
Mfr: |
Infineon Technologies |
Figura del rumore (dB Typ @ f): |
1 dB ~ 1,6 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz |
Potenza - Max: |
580 mW |
Guadagno: |
15 dB |
Confezione / Cassa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura di funzionamento: |
150°C (TJ) |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
70 @ 30mA, 8V |
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari |
Corrente - Collettore (Ic) (Max): |
80mA |
Status del prodotto: |
Attivo |
Tipo di transistor: |
NPN |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Frequenza - Transizione: |
8GHz |
pacchetto: |
Altri prodotti |
Serie: |
Automotive, AEC-Q101 |
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): |
12V |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
PG-SOT23-3-4 |
Mfr: |
Infineon Technologies |
Figura del rumore (dB Typ @ f): |
1 dB ~ 1,6 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz |
Potenza - Max: |
580 mW |
Guadagno: |
15 dB |
Confezione / Cassa: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Temperatura di funzionamento: |
150°C (TJ) |
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: |
70 @ 30mA, 8V |
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