NGTG15N60S1EG

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Descrizione: Transistor IGBT 15A 600V IGBT

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Specificità

Descrizione

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Corrente di perdita dell' emittente della porta::	Na 100	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	30 A
Palladio - dissipazione di potere::	47 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	600 V
Confezione / Valigia::	TO-220	Imballaggio::	Tubo
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	20 V	Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,95 V
Produttore::	semi

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	Na 100
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	30 A
Palladio - dissipazione di potere::	47 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	600 V
Confezione / Valigia::	TO-220
Imballaggio::	Tubo
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	20 V
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,95 V
Produttore::	semi

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NGTG15N60S1EG

Il NGTG15N60S1EG,da onsemi,è IGBT Transistor.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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