STGP30H65F

Dettagli del prodotto

Termini di pagamento e di spedizione

Descrizione: IGBT Transistor Trench gte FieldStop IGBT 600V 30A

Ottenga il migliore prezzo

Contatto ora

Specificità

Descrizione

Specificità

Evidenziare:

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	250 nA	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	60 A
Palladio - dissipazione di potere::	260 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	650 V
Confezione / Valigia::	TO-220-3	Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 20 V	Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato	Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,4 V
Produttore::	STMicroelettronica

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	250 nA
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	60 A
Palladio - dissipazione di potere::	260 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	650 V
Confezione / Valigia::	TO-220-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 20 V
Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,4 V
Produttore::	STMicroelettronica

Descrizione

STGP30H65F

L'STGP30H65F, di STMicroelectronics, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

Tags:

Prodotti simili