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IXBF55N300

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Descrizione: Transistor IGBT ad alta tensione ad alto guadagno BIMOSFET

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Corrente di perdita dell' emittente della porta::	+/- 200 nA	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	86 A
Palladio - dissipazione di potere::	357 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	3 CHILOVOLT
Confezione / Valigia::	ISOPLUS i4-Pak-3	Temperatura massima di funzionamento::	+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 25 V	Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,7 V	Produttore::	IXYS

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	+/- 200 nA
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	86 A
Palladio - dissipazione di potere::	357 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	3 CHILOVOLT
Confezione / Valigia::	ISOPLUS i4-Pak-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 25 V
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,7 V
Produttore::	IXYS

Descrizione

IXBF55N300

Il IXBF55N300,di IXYS, è IGBT Transistor. quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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