IRGP4640DPBF

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Descrizione: Transistor IGBT 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC

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Specificità

Descrizione

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Corrente di perdita dell' emittente della porta::	Na 100	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	40 A
Palladio - dissipazione di potere::	125 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	600 V
Confezione / Valigia::	TO-247-3	Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Imballaggio::	Tubo	Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	20 V
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,9 V	Produttore::	Infineon Technologies

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	Na 100
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	40 A
Palladio - dissipazione di potere::	125 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	600 V
Confezione / Valigia::	TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Imballaggio::	Tubo
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	20 V
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,9 V
Produttore::	Infineon Technologies

Descrizione

IRGP4640DPBF

L'IRGP4640DPBF, di Infineon Technologies, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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