STGWT40HP65FB

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Descrizione: IGBT Transistor IGBT, serie HB 650 V, 40 A ad alta velocità

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Specificità

Descrizione

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Corrente di perdita dell' emittente della porta::	+/- 250 nA	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	80 A
Palladio - dissipazione di potere::	283 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	650 V
Confezione / Valigia::	TO-3P-3	Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 30 V	Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,6 V	Produttore::	STMicroelettronica

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	+/- 250 nA
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	80 A
Palladio - dissipazione di potere::	283 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	650 V
Confezione / Valigia::	TO-3P-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 30 V
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,6 V
Produttore::	STMicroelettronica

Descrizione

STGWT40HP65FB

Lo STGWT40HP65FB,di STMicroelectronics,è IGBT Transistor.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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