NGD8201ANT4G

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Descrizione: I transistor IGBT NGD8201ANT4G GEN4 IGBT

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Specificità

Descrizione

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Corrente di perdita dell' emittente della porta::	300 uA	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	SMD/SMT	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	20 A
Palladio - dissipazione di potere::	125 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	440 V
Confezione / Valigia::	DPAK	Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	15 V	Imballaggio::	Rilo
Configurazione::	Non sposato	Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,5 V
Produttore::	Littelfuse

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	300 uA
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	SMD/SMT
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	20 A
Palladio - dissipazione di potere::	125 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	440 V
Confezione / Valigia::	DPAK
Temperatura massima di funzionamento::	+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	15 V
Imballaggio::	Rilo
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	1,5 V
Produttore::	Littelfuse

Descrizione

NGD8201ANT4G

L'NGD8201ANT4G, di Littelfuse, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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