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IRG4PH40UPBF

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Descrizione: Transistori IGBT 1200V UltraFast 5-40kHz

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Categoria di prodotto::	Transistor IGBT	Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	30 A	Palladio - dissipazione di potere::	160 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	1,2 chilovolt	Confezione / Valigia::	TO-247-3
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 20 V	Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato	Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	3,5 V
Produttore::	Infineon Technologies

Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	30 A
Palladio - dissipazione di potere::	160 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	1,2 chilovolt
Confezione / Valigia::	TO-247-3
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 20 V
Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	3,5 V
Produttore::	Infineon Technologies

Descrizione

IRG4PH40UPBF

L'IRG4PH40UPBF,di Infineon Technologies, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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