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IRGS8B60KPBF

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Categoria di prodotto::	Transistor IGBT	Stile di montaggio::	SMD/SMT
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	28 A	Palladio - dissipazione di potere::	167 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	600 V	Confezione / Valigia::	D-PAK-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 150 C	Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 20 V
Imballaggio::	Tubo	Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,2 V	Produttore::	Infineon Technologies

Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	SMD/SMT
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	28 A
Palladio - dissipazione di potere::	167 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	600 V
Confezione / Valigia::	D-PAK-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 20 V
Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,2 V
Produttore::	Infineon Technologies

Descrizione

IRGS8B60KPBF

L'IRGS8B60KPBF, di Infineon Technologies, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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