IRG7PSH54K10DPBF

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Specificità

Descrizione

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Corrente di perdita dell' emittente della porta::	Na 200	Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco	Corrente continua del collettore a 25 ° C::	120 A
Palladio - dissipazione di potere::	520 W	Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	1200 V
Confezione / Valigia::	TO-247-3	Temperatura massima di funzionamento::	+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 30 V	Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato	Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,4 V
Produttore::	IR / Infineon

Corrente di perdita dell' emittente della porta::	Na 200
Categoria di prodotto::	Transistor IGBT
Stile di montaggio::	Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::	120 A
Palladio - dissipazione di potere::	520 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::	1200 V
Confezione / Valigia::	TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::	+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::	+/- 30 V
Imballaggio::	Tubo
Configurazione::	Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::	2,4 V
Produttore::	IR / Infineon

Descrizione

IRG7PSH54K10DPBF

L'IRG7PSH54K10DPBF, di IR / Infineon, sono transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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