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IRGP20B120UD-EP

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Descrizione: IGBT Transistor 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT

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Specificità
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Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
40 A
Palladio - dissipazione di potere::
300 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
1,2 chilovolt
Confezione / Valigia::
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
30,05 V
Produttore::
Infineon Technologies
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
40 A
Palladio - dissipazione di potere::
300 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
1,2 chilovolt
Confezione / Valigia::
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
30,05 V
Produttore::
Infineon Technologies
Descrizione
IRGP20B120UD-EP
L'IRGP20B120UD-EP,di Infineon Technologies, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

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